Selasa, 28 Januari 2014
TRANSISTOR
TRANSISTOR
A. Pengertian
Transistor adalah alat
semikonduktor yang
dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching),
stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Transistor
dapat berfungsi semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus inputnya (BJT)
atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat
akurat dari sirkuit sumber listriknya.
Pada
umumnya, transistor memiliki 3 terminal, yaitu Basis (B), Emitor (E) dan
Kolektor (C). Tegangan yang di satu terminalnya misalnya Emitor dapat dipakai
untuk mengatur arus dan tegangan yang lebih besar daripada arus input Basis,
yaitu pada keluaran tegangan dan arus output Kolektor.
Transistor
merupakan komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik modern. Dalam
rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier (penguat). Rangkaian
analog melingkupi pengeras suara, sumber listrik stabil (stabilisator) dan
penguat sinyal radio. Dalam rangkaian-rangkaian digital, transistor digunakan
sebagai saklar berkecepatan tinggi.
Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi
sebagai logic gate, memori dan fungsi rangkaian-rangkaian lainnya.
B. Cara kerja
Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya ada
dua tipe dasar transistor, bipolar junction transistor (BJT atau
transistor bipolar) dan field-effect transistor (FET),
yang masing-masing bekerja secara berbeda.
Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal
konduksi utamanya menggunakan dua polaritas pembawa muatan: elektron dan
lubang, untuk membawa arus listrik. Dalam BJT, arus listrik utama harus
melewati satu daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion zone, dan ketebalan lapisan ini dapat
diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk mengatur aliran arus utama
tersebut.
FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya
menggunakan satu jenis pembawa muatan (elektron atau hole, tergantung dari tipe
FET). Dalam FET, arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit
dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar
dimana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). Dan ketebalan dari
daerah perbatasan ini dapat diubah dengan perubahan tegangan yang diberikan,
untuk mengubah ketebalan kanal konduksi tersebut. Lihat artikel untuk
masing-masing tipe untuk penjelasan yang lebih lanjut.
C. Jenis-jenis
transistor
 |
PNP
|
 |
P-channel
|
 |
NPN
|
 |
N-channel
|
|
BJT
|
JFET
|
Simbol
Transistor dari Berbagai Tipe
Secara umum, transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan
banyak kategori:
·
Materi semikonduktor: Germanium, Silikon, Gallium
Arsenide
·
Kemasan fisik: Through Hole Metal, Through Hole Plastic,
Surface Mount, IC, dan lain-lain
·
Tipe: UJT, BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, HBT, MISFET, VMOSFET, MESFET, HEMT, SCR serta pengembangan dari transistor yaitu IC(Integrated Circuit) dan lain-lain.
·
Polaritas: NPN atau N-channel, PNP atau P-channel
·
Maximum kapasitas daya: Low Power, Medium Power, High
Power
·
Maximum frekuensi kerja: Low, Medium, atau High
Frequency, RF transistor, Microwave, dan lain-lain
·
Aplikasi: Amplifier, Saklar, General Purpose, Audio,
Tegangan Tinggi, dan lain-lain
1. BJT
BJT (Bipolar Junction Transistor)
adalah salah satu dari dua jenis transistor. Cara kerja BJT dapat dibayangkan
sebagai dua diode yang terminal positif atau negatifnya berdempet, sehingga ada
tiga terminal. Ketiga terminal tersebut adalah emiter (E), kolektor (C), dan
basis (B).
Perubahan arus listrik dalam jumlah
kecil pada terminal basis dapat menghasilkan perubahan arus listrik dalam
jumlah besar pada terminal kolektor. Prinsip inilah yang mendasari penggunaan
transistor sebagai penguat elektronik. Rasio antara arus pada koletor dengan
arus pada basis biasanya dilambangkan dengan β atau 
. β biasanya berkisar sekitar 100 untuk
transistor-transisor BJT.
. β biasanya berkisar sekitar 100 untuk
transistor-transisor BJT.
2. FET
FET dibagi menjadi dua keluarga: Junction
FET (JFET) dan Insulated Gate FET (IGFET) atau
juga dikenal sebagai Metal Oxide
Silicon (atau Semiconductor) FET (MOSFET). Berbeda dengan IGFET, terminal gate
dalam JFET membentuk sebuah diode dengan kanal (materi semikonduktor antara Source
dan Drain). Secara fungsinya, ini membuat N-channel JFET menjadi sebuah versi
solid-state dari tabung vakum, yang juga membentuk sebuah diode antara grid dan katode. Dan juga, keduanya (JFET dan tabung vakum) bekerja di
"depletion mode", keduanya memiliki impedansi input tinggi, dan
keduanya menghantarkan arus listrik dibawah kontrol tegangan input.
FET lebih jauh lagi dibagi menjadi
tipe enhancement mode dan depletion mode. Mode
menandakan polaritas dari tegangan gate dibandingkan dengan source saat FET
menghantarkan listrik. Jika kita ambil N-channel FET sebagai contoh: dalam
depletion mode, gate adalah negatif dibandingkan dengan source, sedangkan dalam
enhancement mode, gate adalah positif. Untuk kedua mode, jika tegangan gate
dibuat lebih positif, aliran arus di antara source dan drain akan meningkat.
Untuk P-channel FET, polaritas-polaritas semua dibalik. Sebagian besar IGFET
adalah tipe enhancement mode, dan hampir semua JFET adalah tipe depletion mode.
Langganan:
Posting Komentar
(
Atom
)
Tidak ada komentar :
Posting Komentar